西部数据公司发布面向高端智能手机的96层3D NAND UFS 2.1嵌入式闪存盘

　　9月份的iPhone XS在创下历史最高售价的同时，存储配置也从去年的256GB封顶一跃跳到了512GB，很快，2018年接下来这最后一两个月里即将要上场的新款手机们，这必定会产生一个风向标的作用：如果你再不跟上把手机的容量配置给提一提，那很快就要被考虑换机的用户给嫌弃了。

　　同时，5G商用又迫在眉睫，且不说那些囊括范围更加广泛的边缘计算、智能家居等设备加入进来，光是我们手中的智能手机就会不可避免地迎来一波置换。

　　在多个风口共同吹动着我们掌中那几寸大的屏幕继续往前进化的背景下，西部数据拿出了一套新的解决方案，并选择在今天全球首发与各行业媒体分享这一成果。

　　借助此前在这一代BiCS4闪存技术上的积累，西部数据把自己的96层3D NAND颗粒产品化，做成了能用于智能手机、平板电脑以及笔记本的最终嵌入式闪存。这一代产品的命名方式产生了显著变化，新品名叫iNAND MC EU321(原先的iNAND 7550和iNAND 8521也顺应这个方式改了名，型号变成了EM131和EU311)。

　　iNAND MC EU321的主要特征除采用西数自产的96层3D TLC NAND颗粒之外，它还使用UFS 2.1接口，而且具备西数自主设计的iNAND SmartSLC 5.1缓存架构，容量范围则在32GB到256GB有四个规格可选。听西数在发布会现场的口风，以高通和联发科为代表的安卓生态圈似乎很乐见这款存储产品进入手机市场。

　　有上一代产品作为参照，iNAND MC EU321的性能指标依旧在可观的数值位置上稳步提升，以256GB规格为例，其顺序读写能力分别达到了800MB/s和550MB/s，随机访问性能也可维持在40K~50K IOPs水准，在同类板载闪存盘产品里基本上可以算一骑绝尘。西部数据对此感到非常自豪，它表示自己产品的顺序写入速度比竞品快出一倍以上。

　　由此也看得出来，iNAND MC EU321的厉害之处主要还是集中在iNAND SmartSLC 5.1缓存架构上，西数通过在TLC和内存数据操作之间设置一个SLC buffer层，通过SLC的缓冲达到非常高的爆发式访问性能，数据缓存下来之后，通过西数在固件中写好的算法机制，闪存会自动对TLC的数据块进行整理，在减少碎片化的同时把SLC缓存里的数据写入到TLC里。

　　由于手机应用并无太多需要持续写入数据的场合(那种时候网络传输往往是更大的瓶颈)，这种思路对于爆发式访问的响应性能和延迟都有好处，也就是说对手机的整体使用体验会有比较显著的改善。

　　同时，因为有这样一个SLC缓存架构存在，西部数据的NAND闪存盘更不容易出现那种固态存储比较容易出现的满写性能急剧滑坡。按照他们的说法，友商的闪存往往在写满80%~90%的时候顺序写入性能就会发生断崖式下降，甚至可能会比正常情况下下降超过一半多，而iNAND MC EU321则要到98%写满的时候才会出现大概20%的性能损耗。

　　随着5G、AI以及4K HDR在移动设备上的应用铺开，存储子系统一些容易被忽略的性能角落也开始被发现和填补起来。手机厂商们更多的对特定的应用场景进行针对性优化(例如微信的使用，以及王者荣耀等手机游戏帧率稳定性)，西部数据也在做同样的事情，iNAND MC EU321就是针对手机AI、xR用例的定点止痛剂。

　　未来西数还会以96层3D NAND作为立足点，继续扩展EU321的衍生类型产品来覆盖汽车/自动驾驶、工业生产，以及智能家居领域的嵌入式闪存产品。不过眼下最重要的，当然还是先把手机这块市场给做好了。